《晶体管原理与设计》

目录1

第一章p-n结1

§1-1 p-n结的平衡状态1

§1-2 p-n结在正向电压下的特性7

§1-3 p-n结在反向电压下的特性13

§1-4 准费米能级17

§1-5 p-n结势垒电容21

§1-6 p-n结小讯号交流特性；扩散电容27

§1-7 p-n结的开关特性29

§1-8 p-n结的击穿34

第二章 晶体管的直流特性50

§2-1 均匀基区晶体管的放大系数50

§2-2 缓变基区晶体管的放大系数57

§2-3 晶体管的电流-电压方程64

§2-4 晶体管的反向特性69

§2-5 基极电阻77

§2-6 直流小信号参数与等效电路83

第三章 晶体管的频率特性93

§3-1 基区输运系数和频率的关系93

§3-2 电流放大系数与频率的关系101

§3-3 交流小信号电流-电压方程113

§3-4 功率增益和最高振荡频率121

附录 从连续性方程推导本征晶体管的电流与电压的关系125

第四章 晶体管的功率特性133

§4-1 大注入效应133

§4-2 大电流下的基区扩展效应138

§4-3 发射极电流集边效应143

§4-4 晶体管的热学性质147

§4-5 二次击穿和安全工作区154

§5-1 晶体管的开关作用和静态大信号特性163

第五章 晶体管的开关特性163

§5-2 晶体管的开关过程172

§5-3 电荷控制模型及葛谋-潘模型178

第六章 晶体管的噪声特性188

§6-1 晶体管的噪声188

§6-2 晶体管的噪声源190

§6-3 晶体管的高频噪声等效电路194

§6-4 高频噪声系数的近似表达式197

§6-5 晶体管高频噪声的基本特性201

第七章 晶体管的设计205

§7-1 概述205

§7-2 高频和微波功率晶体管的设计206

§7-3 微波功率晶体管设计实例229

§7-4 高频和微波低噪声晶体管的设计236

§8-1 基本工作原理250

第八章 结型栅与肖特基势垒栅场效应晶体管250

§8-2 JFET的电流-电压方程253

§8-3 JFET的直流和小信号交流参数259

§8-4 JFET的小信号高频等效电路及其频率特性262

§8-5 短沟道JFET中强电场中迁移率调制效立268

§8-6 JFET的高频噪声273

§8-7 结型场效应晶体管的结构276

§9-1 MOSFET的工作原理和特性283

第九章 绝缘栅场效应晶体管283

§9-2 MOSFET的阈电压VT286

§9-3 MOSFET输出特性的数学分析292

§9-4 MOSFET的亚阈区导电297

§9-5 MOSFET的直流参数及其与温度的关系299

S 9-6 MOSFET的小信号参数、高频等效电路及其频率特性304

§9-7 MOSFET的噪声316

§9-8 短沟道效应322

§9-9 MOSFET的结构339