《高压硅半导体器件耐压与表面绝缘技术》求取 ⇩

目录1

编者的话1

第一章导言1

一、研究高压硅半导体器件的耐压与表面绝缘技术的意义1

二、影响硅半导体器件耐压及稳定性的主要因素5

第二章 高压硅半导体器件的体内耐压8

一、半导体P-N结的形成和基本特性8

二、P-N结空间电荷区的电场分布17

三、P-N结的击穿31

四、高压硅整流管的结片结构与耐压设计49

五、硅晶闸管的耐压设计56

第三章 高压硅半导体器件的表面电场与表面耐压79

一、P-N结的表面击穿与表面电场79

二、整流管与晶闸管的表面造型86

三、表面电场与表面空间电荷区的测量方法94

四、表面电场分布的近似计算方法98

五、表面耐压的温度特性106

第四章 高压硅半导体器件的表面放电111

一、气体击穿的基本实验规律111

二、气体击穿机理——碰撞电离理论116

三、高压硅半导体器件管壳内部气体放电的产生与改善措施123

第五章 高压硅半导体器件的漏电流128

一、P-N结反向漏电流理论128

二、硅整流管反向漏电流的测试与分析140

三、影响硅整流管表面漏电流因素的分析149

四、硅晶闸管的漏电流157

第六章 高压硅半导体器件的表面处理与表面保护159

材料159

一、硅半导体器件表面的腐蚀与清洗159

二、表面保护的要求和几种保护方法165

三、有机保护材料的结构、性能与使用工艺177

四、保护材料对硅半导体器件电性能的影响191

附录 漏电流中ID、Ig分量的分解200

参考文献202