《晶体振荡器电路设计手册》

导言8

第一章晶体特性13

1-1 概述13

1-2 在fs与fp之间频率范围内的晶体特性19

1-3 R1与Rr的关系26

1-4 并联一个电容的晶体工作方式26

1-5 串联一个加载电容的晶体工作方式28

1-6 晶体型号30

1-7 晶体参数测量43

1-8 晶体终端负载对其谐振特性的影响45

1-9 串联谐振晶体的功耗47

1-10 晶体π型网络50

1-11 晶体π型网络的分析51

1-12 晶体负载R的影响53

1-13 输出负载Zi的影响54

1-14 Ci的影响54

1-15 Ri的影响54

1-16 晶体功耗56

第二章晶体在振荡器设计中的应用61

2-1 概述61

2-2 普通振荡器的方块图61

2-3 振荡器增益关系式62

第三章放大器特性64

3-1 概述66

3-2 晶体管放大器67

3-3 频率低于100KC的晶体管放大器68

3-4 功率增益，输入电阻与输出电阻69

3-5 从共基极“R”参数变换成共发射极“?”参数69

3-6 典型的晶体管放大器工作特性70

3-7 Gp,Rin,R0公式的简化70

3-8 高频晶体管特性71

3-9 晶体管等效电路74

3-10 晶体管放大器性能的实验数据79

3-11 电压增益测量80

3-12 频率低于fv的电压增益特性83

3-13 电压增益截止频率fv89

3-14 频率高于fv的电压增益93

3-15 共发射极放大器输入阻抗94

3-16 并联输入电阻94

3-17 并联输入电容99

3-18 放大器相移100

3-19 共基极放大器阻抗102

3-20 具有非旁路电阻的共发射极晶体管放大器的等效电路106

3-21 从混合π型变换成π型（导纳）等效晶体管电路111

3-22 由晶体管偏置网络形成的共发射极放大器的输入电阻114

第四章阻抗变换网络119

4-1 概述119

4-2 π型网络120

4-3 π型网络设计123

4-4 电容分压器网络126

4-5 电感变换器128

4-6 自耦变换器133

4-7 文氏电桥网络136

第五章普通振荡器总论138

5-1 振荡器频率公差138

5-2 振荡器电路图及元件频率响应特性142

5-3 初步设计知识144

5-4 振荡器设计步骤145

第六章串联谐振振荡器设计147

6-1 概述147

6-2 800KC到30MC串联谐振晶体特性148

6-3 800KC到30MC晶体管串联谐振振荡器150

6-4 环路电压增益的确定151

6-5 晶体负载152

6-6 环路增益与RL的关系152

6-7 晶体功耗155

6-8 晶体功耗与振荡器输出功率的关系158

6-9 800KC到30MC串联谐振振荡器的设计步骤160

6-10 设计举例164

6-11 〔例一〕：1MC串联谐振振荡器164

6-12 〔例二〕：5MC串联谐振振荡器168

6-13 〔例三〕：20MC串联谐振振荡器172

6-14 频率高于30MC的串联谐振振荡器174

6-15 晶体特性175

6-16 放大器特性178

6-17 在晶体输入端与放大器输入端之间反馈信号的衰减179

6-18 环路电压增益关系式180

6-19 晶体功耗181

6-20 晶体端接电阻182

6-21 振荡器相位关系式183

6-22 放大器稳定性184

6-23 30MC到200MC串联谐振振荡器设计步骤184

6-24 设计举例190

6-25 〔例一〕193MC振荡器190

6-26 〔例二〕150MC振荡器192

6-27 〔例三〕120MC振荡器195

6-28 〔例四〕75MC振荡器199

6-29 90KC到500KC串联谐振振荡器203

6-30 晶体特性203

6-31 放大器特性205

6-32 环路电压增益方程205

6-33 晶体功耗208

6-34 晶体功耗和振荡器输出功率的关系208

6-35 90KC到500KC串联谐振振荡器的设计步骤210

6-36 值得注意的问题210

6-37 1KC到100KC串联谐振振荡器设计212

6-38 晶体特性213

6-39 晶体功耗214

6-40 放大器特性214

6-41 振荡器环路增益关系式215

6-42 设计举例217

6-43 〔例一〕3KC晶体管振荡器218

6-44 〔例二〕20KC晶体管振荡器222

6-45 〔例三〕1KC两级晶体管振荡器227

6-46 〔例四〕3KC两级晶体管振荡器230

第七章并联谐振振荡器设计233

7-1 并联谐振振荡器电路233

7-2 0.8～20MC并联谐振晶体235

7-3 CL与f′a的关系238

7-4 Xe与Re max的关系240

7-5 0.8～20MC频率范围的基本皮尔斯振荡器241

7-6 设计方法242

7-7 将晶体管内反馈元件Rr和Cr并入晶体π型网络244

7-8 Cr的影响245

7-9 Rr的影响247

7-10 环路电压增益的计算249

7-11 Rπ和RT是Re/Re max和XLeff/Re max的函数252

7-12 输出电压极限255

7-13 基本皮尔斯振荡器电路的晶体管集电极电流要求257

7-14 基本皮尔斯振荡器的功耗输出限制259

7-15 基本皮尔斯振荡器的设计步骤261

7-16 设计举例268

7-17 〔例一〕0.8MC基本皮尔斯振荡器269

7-18 〔例二〕5MC基本皮尔斯振荡器272

7-19 〔例三〕20MC基本皮尔斯振荡器275

7-20 0.8至20MC的隔离电阻皮尔斯振荡器277

7-21 环路增益278

7-22 隔离电阻皮尔斯振荡器设计步骤280

7-23 设计举例288

7-24 〔例一〕 0.8MC隔离电阻皮尔斯振荡器288

7-25 〔例二〕5MC隔离电阻皮尔斯振荡器291

7-26 〔例三〕20MC隔离电阻皮尔斯振荡器293

7-27 〔例四〕5MC隔离电阻皮尔斯振荡器（2N 706A）296

7-28 〔例五〕20MC隔离电阻皮尔斯振荡器（2N 706A）299

7-29 4KC至500KC并联谐振振荡器设计要点301

参考文献〔Ⅰ〕304

第八章高稳定度晶体振荡器设计——一种温度补偿的新方法310

8-1 引言310

8-2 经典的温度补偿晶体振荡器的调谐法310

8-3 非线性温度补偿晶体振荡器调谐法313

8-4 三点热敏电阻网络316

8-5 两段网络补偿320

8-6 窄温度范围补偿323

8-7 结论324

附录A：形状参数的计算机选择324

附录B：网络电阻值的计算326

参考文献〔Ⅱ〕329