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目录2

译者的话2

序言2

第一章　器件模型及反相器分析2

第一部分2

1.1　结型二极管的特性及模型2

1.1.1　结型p-n二极管特性2

10.1.2　斜坡发生器 384

1.1.2　从另一个角度来讨论VI关系4

1.1.3　二极管的几个工作区5

1.1.4　结型p-n二极管中电流的定性解释7

1.1.5　理想二极管电路模型8

1.1.6　理想二极管与电压源串联构成的二极管模型10

1.2　图解法分析二极管电路11

1.2.1　负载线法12

1.2.2　线性模型的解析法与图解法的比较12

1.3　二极管讨论的总结13

第二部分14

1.4　双极型晶体管模型及其特性14

1.4.1　晶体管的参考方向及电路图符号14

1.4.2　结型晶体管的工作原理15

1.4.3　双极型晶体管的埃伯斯-摩尔（Ebers-Moll）模型17

1.4.4　正常状态放大区模型18

1.4.6　截止区模型19

1.4.7　饱和区模型19

1.4.5　反接状态放大区模型19

1.4.8　测得的晶体管特性20

1.4.9　用模型拟合测量数据23

1.5　晶体管反相器分析24

1.5.1　用戴维宁等效电路简化输入及输出网络24

1.5.2　采用晶体管基本模型的反相器的解析法26

1.5.3　理论传输特性与实验传输特性的比较28

1.5.4　晶体管反相器的图解分析28

1.6　射极跟随器分析30

1.7　MOS场效应管32

1.7.1　MOS场效应管的特性32

17.2　MOS场效应管反相器34

1.8　晶体管讨论的总结36

2.1　布尔代数48

第二章　基本逻辑设计48

2.1.1 真值表49

2.1.2　基本定理50

2.2　卡诺图54

2.3　逻辑符号59

2.4　二极管逻辑60

2.4.1　二极管“或”门61

2.4.2　二极管“与”门62

2.5　总结63

第三章　逻辑门电路71

第一部分71

3.1　饱和逻辑电路71

3.1.1　晶体管反相器71

3.1.2　噪声容限72

3.1.3　扇出73

3.1.4　噪声容限对扇出的影响75

3.1.5　基极的过驱动系数76

3.1.6　最坏情况设计77

3.1.7　逻辑门电路78

3.2　电阻-晶体管逻辑79

3.2.1　RTL门的功耗81

3.2.2　RTL门的传输延迟81

3.2.3　低功耗RTL门82

3.2.4　直接耦合晶体管逻辑82

3.3　二极管-晶体管逻辑83

3.3.1　基本DTL门的扇出85

3.3.2　改进的DTL门87

3.3.3　改型DTL门88

3.3.4 930系列DTL门91

3.4　晶体管-晶体管逻辑95

3.4.1　输入晶体管96

3.4.2　输出级97

3.4.3　TTL门的扇出99

3.4.4 54/74系列TTL门101

3.5　不饱和逻辑电路108

第二部分108

3.6　射极耦合逻辑110

3.6.1　ECL门的分析111

3.6.2　MECL Ⅱ系列ECL门113

3.7　MOS场效应管电路119

3.7.1　MOS场效应管反相器119

3.7.2　MOS场效应管门电路120

3.7.3　互补MOS电路121

3.7.4　CMOS门电路124

3.8　各种电路的比较125

3.9　中规模集成电路（MSI）和大规模集成电路（LSI）126

3.10　总结127

4.1　逻辑的实现139

4.1.1　联接方法和集成度139

第四章　组合逻辑设计139

4.1.2　电路类型的选择140

4.2　逻辑图的分析142

4.2.1　全“与非”或全“或非”逻辑图的分析142

4.2.2　混合的“与非”和“或非”逻辑单元146

4.3　组合函数的综合147

4.3.1　求解一个综合问题：表决机器148

4.3.2　更进一步的逻辑综合例子：二进制加法器152

4.3.3　“异-或”门和数字比较器156

4.4　无关条件157

4.4.1　代码转换159

4.4.2　多路输出161

4.5　电路实现中的一些考虑162

4.5.1　不用的输入端的处理162

4.5.2　线连逻辑164

4.5.3　BCD（二-十进制）七段译码器/驱动器167

4.6　总结170

第五章　锁存器和触发器182

5.1　锁存器182

5.1.1　用“或非”门构成的锁存器的特性184

5.1.2　用“与非”门构成的锁存器185

5.1.3　锁存器应用举例：防止反跳的开关187

5.2　时钟驱动的触发器188

5.2.1　R-S触发器188

5.2.2　触发器的激励表和特征表190

5.2.3　数据存贮锁存器190

5.3　具有存贮作用的触发器191

5.3.2　主从触发器192

5.3.1　含有延迟元件的计数触发器192

5.3.3　J-K主从触发器194

5.3.4　触发器初始状态的预置197

5.4　D触发器200

5.5　触发器之间的变换201

5.6　施密特触发器203

5.7　单稳态多谐振荡器205

5.8　总结206

第六章　计数器和寄存器213

6.1　异步计数器213

6.1.1　二进制行波计数器214

6.1.2　减法计数器215

6.1.3　十进制行波计数器217

6.2　同步计数器219

6.2.1　二进制同步计数器219

6.2.2　十进制同步计数器222

6.2.3　一般的BCD同步计数器224

6.3　移位寄存器226

6.3.1　串行-并行变换器226

6.3.2　并行-串行变换器227

6.4　环形计数器228

6.5　移位计数器230

6.6　存贮单元232

6.7　总结233

第七章　小信号放大器240

7.1　晶体管电路模型240

7.1.1　埃伯斯-摩尔模型241

7.1.2　小信号晶体管模型241

7.1.3　跨导243

7.1.4　欧姆电阻244

7.1.5　基区宽度调制245

7.1.6　混合π模型246

7.2　基本共射极放大器247

7.2.1　直流工作状态247

7.2.2　小信号特性248

7.3　共射极放大级的级联249

7.4　基本射极跟随器252

7.4.1　直流工作状态253

7.4.2　小信号特性254

7.5　共集极放大级的级联257

7.6　基本共基极放大器259

7.6.1　直流工作状态260

7.6.2　小信号特性260

7.7　小信号参数总结263

第八章　差动放大器279

8.1　单端放大器279

8.2　差动放大器280

8.3　差动放大对283

8.3.1　直流工作状态283

8.3.2　工作方式284

8.3.3　小信号特性286

8.4　级联差动对291

8.4.1　直流工作状态292

8.4.2　小信号特性293

8.5　转换成单端形式的方法296

8.5.1　用电阻和电流源转移电平的方法296

8.5.2　用射极跟随器转移电平的方法297

8.6　集成电路中的电流源298

8.6.1　二极管偏置方案299

8.6.2　改进的二极管偏置方案300

8.6.3　用不相同晶体管组成的电流源300

8.7　整个差动放大器的设计举例301

8.7.1　全部采用n-p-n管的运算放大器的设计301

8.7.2　直流工作状态302

8.7.3　小信号特性305

8.7.4　MC1530/MC1531运算放大器310

8.8　741型运算放大器的设计特点311

8.8.1　小信号特性315

8.9　各种电路的比较320

8.10　总结321

第九章　电阻反馈及频率补偿335

9.1　理想的运算放大器335

9.1.1　增益336

9.1.2　输入电阻336

9.1.3　输出电阻336

9.1.4　输入失调电压336

9.1.5　响应时间336

9.2　基本电路单元337

9.2.1　电压跟随器337

9.2.2　同相放大器338

9.2.3　反相放大器339

9.3　反馈340

9.3.1　基本性质341

9.3.2　反馈方程341

9.3.3　增益灵敏度343

9.3.4　同相放大器345

9.3.5　反相放大器350

9.3.6　总结354

9.4　频率响应355

9.4.1　稳定性355

9.4.2　波德（Bode）图356

9.4.3　运算放大器的波德图362

9.5　频率补偿365

9.5.1　窄带补偿365

9.5.2　宽带补偿366

9.6　总结368

第十章　数字和线性集成电路的应用380

10.1　双斜率数字电压表380

10.1.1　双斜率数字电压表的原理381

10.1.3　电压比较器387

10.1.4　简化的双斜率数字电压表387

10.1.5　电流源IREF的切换390

10.1.6　数字电压表的计数器设计392

10.1.7　过载指示395

10.1.8　控制逻辑395

10.1.9　振荡器（脉冲发生器）的设计399

10.1.10　数字电压表的评述404

10.2　数字-模拟转换405

10.2.1　一个简单的权电阻数字-模拟转换器405

10.2.2　使用晶体管开关的权电阻数字-模拟转换器407

10.3　锁相环408

10.3.1　相位比较器408

10.3.2　压控振荡器410

10.3.3　一个简单的锁相环412

10.4　总结414

10.3.4　数字倍频器414

附录A　集成电路的制造工艺424

A.1　结的平面工艺424

A.2　电路元件425

A.2.1　集成双极型晶体管425

A.2.2　集成扩散电阻426

A.2.3　集成电容器426

A.2.4　MOS晶体管427

A.3　集成芯片的封装428

附录B　电路定律430

B.1　实际电压源和理想电压源430

B.2　实际电流源和理想电流源431

B.3.1　基尔霍夫电流定律432

B.3.2　基尔霍夫电压定律432

B.3　基尔霍夫定律432

B.3.3　集成电路分析中电流方向的规定433

B.4 电路定律的应用434

B.5　戴维宁定理435

B.5.1　戴维宁等效电路436

B.6　诺顿定理438

B.6.1　诺顿等效电路438

B.7　叠加原理439

C.1　十进制442

附录C　数制和代码442

C.2　二进制443

C.2.1　十进制整数的变换443

C.3　八进制444

C.3.1　十进制变换444

C.3.2　二进制变换445

C.4　数的代码446

C.4.1 BCD代码446