《一次全扩散法制造工艺 600安培可控硅整流元件》

目录1

序言1

一、一次全扩散法基本原理及其工艺分析1

1．一次全扩散法的基本原理1

（1）杂质源4

（2）扩散温度与时间的选择6

（3）扩散杂质源的量9

2．一次全扩散法提高元件特性的几个问题11

（1）元件的高温特性11

（2）元件的正向压降16

（3）元件的反向电压17

（4）氧化层对扩散结果的影响17

（5）软特性现象20

二、600安培可控硅一次全扩散法制造工艺22

1．元件的单晶硅材料和结构参数的选择22

2．工艺流程图23

4．氧化24

3．硅片清洁处理与腐蚀24

5．单面喷黑胶，去氧化层26

6．扩散27

7．烧结31

8．蒸发33

9．表面造型及其处理34

10．封装35

1．600安培平板压接式水冷可控硅外貌38

附：图表38

2．600安培平板压接式可控硅水冷散热器结构图39

3．杂质的最大固态溶解度40

4．杂质在硅中的固态溶解度41

5．硼、铝、镓、铟在硅中的扩散系数42

6．磷、砷、锑在硅中的扩散系数43

7．砷—硅相图44

8．砷—锑相图45

9．铝—硅相图46

10．铝—镍相图47