《金属半导体接触》求取 ⇩

第一章　引言和概论1

1.1　历史1

1.2　肖特基势垒3

1.3　电流电压特性5

1.4　与p-n结的比较10

1.5电容效应12

1.6　实际的接触13

1.7　欧姆接触15

1.8 目前状况16

1.9　参考书目16

第二章肖特基势垒19

2.1预备知识：固体的一些表面性质19

2.1.1　金属的功函数19

2.1.2　半导体的功函数与电子亲和力19

2.1.3　表面态20

2.2　肖特基势垒的形成21

2.2.1　肖特基-莫特理论21

2.2.2　表面态的影响26

2.3　势垒模型的一般分析29

2.3.1　平带势垒高度29

2.3.2　势垒高度对电场的依赖关系33

2.3.3p型半导体34

2.3.4　势垒高度对偏压的依赖36

2.3.5　电场穿透到金属中37

2.4　镜象力引起的势垒高度降低38

2.5　直接接触42

2.6　势垒高度的测量方法47

2.6.1　用J/V特性测量47

2.6.2　用光电方法测量49

2.6.3　用电容方法测量49

2.7　腐蚀表面上势垒高度的测量51

2.7.1　硅51

2.7.2　锗61

2.7.3Ⅲ-Ⅴ族化合物62

2.7.4　其他半导体65

2.8　直接接触势垒高度的测量66

2.8.1　硅66

2.8.2　锗70

2.8.3　Ⅲ-Ⅴ族化合物70

2.8.4　其他半导体71

2.9　讨论71

2.9.1　一般讨论71

2.9.2　解理表面72

2.9.3　腐蚀表面77

第三章　电流输运机理80

3.1导论80

3.2　越过势垒的发射81

3.2.1　两种基本机理81

3.2.2　扩散理论83

3.2.3　热发射理论86

3.2.4　镜象力对电流-电压特性的影响89

3.2.5　热发射-扩散理论的结合92

3.2.6　“热电子”效应94

3.2.7　热发射理论的修正96

3.2.8　与实验结果的比较98

3.3　穿越势垒的隧道效应100

3.3.1　场和热场发射100

3.3.2　欧姆接触107

3.4　耗尽区中的复合109

3.5　空穴注入112

3.5.1　平面接触中空穴注入112

3.5.2　点接触中空穴的注入114

3.6　反向特性115

3.6.1　势垒高度对电场的依赖关系115

3.6.2　隧道效应的作用117

3.6.3　耗尽区中电子空穴对的产生124

3.7　瞬态效应124

3.8　界面层的影响126

3.9　“TO”效应130

第四章肖特基势垒电容132

4.1　反向偏压下理想二极管的电容132

4.1.1　一般情况132

4.1.2　少数载流子可忽略的情况136

4.1.3　少数载流子的影响138

4.2　界面层的影响141

4.3　非均匀施主分布143

4.4　深陷阱的影响147

4.4.1　反向偏压下深陷阱的被占据数148

4.4.2陷阱对电容的影响152

4.4.3　瞬态测量158

4.4.4　光照的影响162

4.5　正向偏压下的电容164

4.5.1　扩散电容164

4.5.2　陷阱的影响165

第五章　实际接触168

5.1制备方法168

5.1.1　点接触168

5.1.2　蒸发接触168

5.1.3　溅射接触170

5.1.4　化学沉积171

5.2　热处理的影响172

5.3　硅178

5.3.1　反应动力学179

5.3.2　势垒高度182

5.4　势垒高度的控制183

5.5　欧姆接触185

附录A耗尽层近似189

附录B肖特基势垒中电场的精确分析192

附录C肖特基势垒与p-n结的比较195

参考文献201