《硅晶体制备及外延 译文集》

作者 中国科学技术情报研究所编辑 编者
出版 北京：科学技术文献出版社
参考页数 70
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ISBN号 15176·27 — 求助条款
PDF编号 81880148（仅供预览，未存储实际文件）
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硅晶体制备及外延 译文集 1974 PDF电子版封面 15176·27 中国科学技术情报研究所编辑

目录1

1．初始硅的质量1

2．用电子束加热的基座技术生长直径40毫米硅晶体8

3．在集成电路加工中切克劳斯基和悬浮区熔硅的表面和体内的变化13

4．硅外延生长18

5．在氮中外延淀积硅24

6．在800—1150℃温度范围内从SiH4外延生长硅28

7．外延硅层的高速化学蒸汽淀积32

8．用热处理消除硅外延层中的堆垛层错37

9．计算机控制外延生产系统43

10．单晶氧化物衬底49

11．结合两种生长方法在绝缘衬底上外延淀积硅膜55

12．硅中的缺陷——它们的来源以及对硅平面器件性能的影响58

13．半导体硅痕量分析方法的比较62

14．切克劳斯基硅晶体中氧和碳的含量68

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