《硅晶体制备及外延 译文集》求取 ⇩
作者 | 中国科学技术情报研究所编辑 编者 |
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出版 | 北京:科学技术文献出版社 |
参考页数 | 70 ✅ 真实服务 非骗流量 ❤️ |
出版时间 | 1974(求助前请核对) 目录预览 |
ISBN号 | 15176·27 — 违规投诉 / 求助条款 |
PDF编号 | 81880148(学习资料 勿作它用) |
求助格式 | 扫描PDF(若分多册发行,每次仅能受理1册) |
目录1
1.初始硅的质量1
2.用电子束加热的基座技术生长直径40毫米硅晶体8
3.在集成电路加工中切克劳斯基和悬浮区熔硅的表面和体内的变化13
4.硅外延生长18
5.在氮中外延淀积硅24
6.在800—1150℃温度范围内从SiH4外延生长硅28
7.外延硅层的高速化学蒸汽淀积32
8.用热处理消除硅外延层中的堆垛层错37
9.计算机控制外延生产系统43
10.单晶氧化物衬底49
11.结合两种生长方法在绝缘衬底上外延淀积硅膜55
12.硅中的缺陷——它们的来源以及对硅平面器件性能的影响58
13.半导体硅痕量分析方法的比较62
14.切克劳斯基硅晶体中氧和碳的含量68
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