《硅晶体制备及外延 译文集》

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目录1

1.初始硅的质量1

2.用电子束加热的基座技术生长直径40毫米硅晶体8

3.在集成电路加工中切克劳斯基和悬浮区熔硅的表面和体内的变化13

4.硅外延生长18

5.在氮中外延淀积硅24

6.在800—1150℃温度范围内从SiH4外延生长硅28

7.外延硅层的高速化学蒸汽淀积32

8.用热处理消除硅外延层中的堆垛层错37

9.计算机控制外延生产系统43

10.单晶氧化物衬底49

11.结合两种生长方法在绝缘衬底上外延淀积硅膜55

12.硅中的缺陷——它们的来源以及对硅平面器件性能的影响58

13.半导体硅痕量分析方法的比较62

14.切克劳斯基硅晶体中氧和碳的含量68

1974《硅晶体制备及外延 译文集》由于是年代较久的资料都绝版了,几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要,可向博主求助其电子版PDF文件(由中国科学技术情报研究所编辑 1974 北京:科学技术文献出版社 出版的版本) 。对合法合规的求助,我会当即受理并将下载地址发送给你。

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