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第一篇固体表面原子状态1

第一章 静态表面原子状态2

§1—1 二维结晶学4

§1—2 理想解理表面点阵结构14

§1—3 清洁表面点阵结构24

§1—4 再构表面与超点阵35

§1—5 覆盖表面的结构49

附录 台阶表面结构69

第二章 表面原子振动状态74

§2—1 一维表面模型的振动75

§2—2 简正模的弹性连续体理论86

§2—3 表面模的点阵动力学理论96

§2—4 与长程力有关的表面模107

§2—5 表面原子均方振幅116

第三章 动态表面原子状态与表面张力134

§3—1 动态表面结构模型和表面张力135

§3—2 表面相的状态参数150

§3—3 极低温度时表面张力168

§3—4 二维系统的表面性质178

§3—5 三维系统的表面性质196

第二篇固体表面电子状态225

第四章 理想简单金属表面电子论228

§4—1 金属体内电子状态——准自由无相互作用电子气模型229

§4—2 表面局域态密度和积分态密度——一维双端无限势垒模型239

§4—3 波函数相移和电中性条件249

§4—4 金属表面电子状态——准自由无相互作用电子气模型258

§4—5 胶体模型的表面电子状态、功函数和表面能269

§4—6 F.T.D.G近似方法282

§4—7 分立点阵模型与结晶取向效应293

第五章 理想半导体表面态和界面态302

§5—1 表面态起源及研究概况303

§5—2 理想完整晶体中的电子状态306

§5—3 晶体内实数K能带和表面区复数k能带321

§5—4 窄禁带半导体表面态的形成（NFE模型）324

§5—5 窄禁带半导体表面区连续谱态密度334

§5—6 表面态密度与表面势的自洽及电中性原理348

§5—7 计算理想半导体表面能带结构的一般匹配原则353

§5—8 紧束缚模型的晶体体内态和表面态363

§5—9 一维共价键模型371

§5—10 典型半导体理想表面态能带的近似计算结果377

§5—11 悬挂键表面态及麦德隆势法382

§5—12 金属／半导体界面态密度389

§5—13 界面偶极矩势和势垒高度396

第六章 清洁固体表面及化学吸附表面电子结构403

§6—1 表面势、表面电荷密度与表面态能带的自洽计算404

§6—2 表面区的连续谱电子态和局域表面态415

§6—3 清洁理想金属表面电子结构424

§6—4 清洁半导体表面电子结构436

§6—5 化学吸附表面电子结构448

§6—6 固体表面能458

§6—7 表面元激发模与表面等离子体463

§6—8 过渡金属表面磁性467

第七章 表面的电子输运476

§7—1 体内的电子输运476

§7—2 表面电子输运类型483

§7—3 表面态中的电子输运484

§7—4 在空间电荷层中载流子的分布489

§7—5 在空间电荷层中的电子输运510

第三篇表面物理专题526

第八章 表面缺陷与表面扩散527

§8—1 结晶表面缺陷模型和表面缺陷能529

§8—2 表面扩散系数的统计热力学理论535

§8—3 表面扩散系数与可测量参数之间的关系540

§8—4 表面扩散实验方法551

§8—5 单元系（金属）表面的自扩散和异质扩散553

§8—6 多元系晶体表面扩散和多孔衬底上吸附分子的扩散566

§8—7 存在问题和研究动向571

第九章 表面吸附和分凝理论575

§9—1 吸附和分凝575

§9—2 物理吸附和化学吸附578

§9—3 吸附和分凝的理论589

§9—4 有关实验624

第四篇表面分析636

第十章 表面分析概论637

§10—1 表面信息和表面探针637

§10—2 入射电子与物质相互作用信息639

§10—3 入射离子和光子与固体表面相互作用信息646

§10—4 直接获得表面信息的现代物理方法652

第十一章 表面原子结构、化学组分及电子能态测量方法664

§11—1 电子衍射法及其应用664

§11—2 清洁表面和有序化学吸附层原子结构部分测量结果674

§11—3 俄歇电子谱及其应用685

§11—4 光电子能谱及其应用705

§11—5 其他能谱技术726

§11—6 半导体表面态分布模型740

§11—7 间接测量半导体表面态分布方法747

附录Ⅰ 常用的物理参数759

附录Ⅱ 主要参数符号760