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目录1

实验1 半导体晶面的光学定向1

实验2 半导体晶体阻缺陷显示6

实验3 四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻13

实验4 霍尔系数和电阻率的测量21

实验5 高频光电导衰退法测量硅（锗）单晶少子寿命28

实验6 半导体表面空间电荷区少子产生寿命和表面复合速度的测量35

实验7 半导体本征光电导的光谱分布41

实验8 半导体光吸收系数的光谱分布46

实验9 pn结光生伏特效应光谱特性51

实验10 椭偏法测量薄膜厚度、折射率和固体复折射率58

实验11 椭偏法测量半导体材料复折射率和光学能隙69

实验12 表面光电压法测量硅中少子扩散长度78

实验13 双脉冲法测量锗中少子扩散长度和迁移率84

实验14 热激电流法测量MOS结构电荷和电子能态89

实验15 准静态法测硅-二氧化硅界面态密度分布96

实验16 深能级瞬态谱法测硅中深能级中心102

实验17 非晶硅薄膜激活能的测量107

实验18 MOS结构高频C-V特性测量112

实验19 三角波电压扫描法测量SiO2中可动离子密度118

实验20 肖特基C-V法测杂质浓度分布124

实验21 二次谐波法测量硅片纵向杂质浓度分布128

实验22 扩展电阻法测量硅片纵向杂质分布和结深133

实验23 pn结结深的测量138

实验24 金属-半导体接触势垒高度的测量143

实验25 用图示仪测量双极型晶体管的直流参数149

实验26 晶体管特征频率的测量155

实验27 晶体管基极电阻的测量159

实验28 晶体管功率增益和噪声系数的测量163

实验29 晶体管开关时间的测量169

实验30 晶体管稳态热阻的测量174

实验31 晶体管瞬态热阻的测量179

实验32 雪崩渡越时间二极管的效率和串联电阻的测量186

实验33 变容二极管的Q值及非线性系数γ的测量192

实验34 MOSEFT交、直流参数的测试198

实验35 双极型运算放大器参数的测试206

实验36 数字MOSIC功能和参数测试213

实验37 双极型晶体管模型参数的提取222

实验38 MOSFET模型参数的提取233

实验39 数字电路逻辑模拟244

实验40 晶体管模拟程序——SEDAN的编程与上机252

实验41 集成电路模拟程序——SPICE的编程与上机260

实验42 半导体生产工艺模拟程序——SUPREM的编程与上机270

实验43 微电子测试图形技术276

实验44 微机集成电路版图编辑283

实验45 芯片解剖290

附录一 常用物理常数298

附录二 硅、锗、砷化镓的主要性质298