《表1 核心材料物理属性：浅谈快速热处理工艺及其温度检测与控制》

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《浅谈快速热处理工艺及其温度检测与控制》

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本次实验我们针对4英寸wafer进行快速热处理中升温及热处理过程中的温度进行测量，典型的快速热处理设备如图1所示，属于双面加热。此次我们仅实现单面加热，结构如图2所示，wafer放置于加热源上方，红外测温仪位于加热源侧方。加热灯模拟为单向辐射热源，除了向wafer方向辐射热量外，其余表面均为热绝缘，以保证测温仪不会接收到加热源的热辐射，加热灯的总功率为25kW；RTP处理系统为冷壁加热系统，在此我们设置腔壁温度为300K，则腔内气体初始温度亦为300K；系统的热传导方式主要为对流和辐射，气体的传热系数选择典型值23.7W/（m2*K），对应氮气。系统中核心材料的物理属性见表1所示。