《表1 氨气等离子体预处理气泡缺陷优化实验安排表》

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《NDC工艺中不同预处理气体对铜互连可靠性的影响》

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NDC介质层在等离子体环境下产生的bubble defect使用SEM观察，Cu氧化物移除越充分，产生bubble defect概率越小。由于NH3活性较强，导致介质层层被撕裂，应力在整个晶圆薄弱点被释放，从而导致bubble defect的产生[7]，在实际生产中设法排除反应室中的NH3尤为重要，实验分组如表1所示。结果得出，无论如何改变工艺参数，NH3含量均大于180；如果在NDC介质层淀积完成后加入N2冲洗步骤，NH3含量明显减少。通过SEM观察，N2冲洗后NDC介质层上bubble defect产生概率明显减少，这对NDC工艺可靠性的提高有显著意义。