《表1 各反应式在不同温度下产物与反应物的Gibbs自由能差ΔG》

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《GaN-MOVPE寄生反应的密度泛函理论研究》

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图5显示了[MMGNH]2的形成和分解路径在不同温度下的Gibbs自由能变化。从图5中可以看出，反应G4只在T=1473.15 K下，ΔG为负值，其余皆为正值。这说明DMGNH2只有在高温下，才能分解为MMGNH。在此温度下的活化自由能ΔG*很高，约为305 kJ/mol。这意味着反应G4的反应速率较慢。MMGNH后续分解（G5、G6和G7）的自由能差ΔG，如表1所示。从表1中可以看出，在计算温度范围内，反应G6、G7的自由能差ΔG<0，但反应G5的自由能差ΔG>0。因此，MMGNH脱去CH4，变为GaN分子，最终聚合为[GaN]2和[GaN]3，这条路径是热力学不利的。