《表1 硅/石墨烯复合材料的交流阻抗拟合数据》
图8为Si@G复合材料的阻抗对比图。6种材料的阻抗谱均呈现高频为1段圆弧、低频为1条斜线段的特征,分别对应电极材料界面的电荷传递过程和锂离子固态扩散过程[23]。采用图8插图所示的等效电路对6条阻抗曲线进行拟合。其中R1代表电池欧姆电阻,R2代表界面传荷电阻,常相位角元件CPE代表界面电容,Zw代表锂离子在固相内扩散的Warburg阻抗,模拟得到的具体数值见表1。可得出Si@G-2的欧姆电阻R1和界面传荷电阻R2均最小,根据电导率与电阻成反比,可知Si@G-2电导率较大,电化学性能得到提高,与其有着高的首圈放电比容量和Coulomb效率相适应。而Si@G-4的欧姆电阻R1仅次于Si@G-2,但其R2数据不乐观,综合考虑该电阻,或许能解释该电极材料有着低首圈放电比容量和Coulomb效率,但其循环优异的矛盾结果。
图表编号 | XD0088663900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.09.01 |
作者 | 肖思、谢旭佳、谢雍基、刘斌、刘丹、施志聪 |
绘制单位 | 广东工业大学材料与能源学院、广东省新能源材料与器件工程技术研究中心、广东工业大学材料与能源学院、广东省新能源材料与器件工程技术研究中心、广东工业大学材料与能源学院、广东省新能源材料与器件工程技术研究中心、广东工业大学材料与能源学院、广东省新能源材料与器件工程技术研究中心、广东猛狮新能源科技股份有限公司、广东工业大学材料与能源学院、广东省新能源材料与器件工程技术研究中心 |
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