《表1 累托石镁热还原制备单质硅的BET表征》

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《累托石镁热还原制备Si/C复合材料及其电化学性能》

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图3为4种多孔硅材料覆碳后的热重分析曲线图。在0～100℃部分是材料中自由水的蒸发导致的失重。在100～600℃4种Si/C复合材料均有明显的失重，这是由于材料中的碳在高温下被空气中的氧气氧化生成二氧化碳。通过热重数据计算可知，4种Si/C复合材料S-1、S-2、S-3和S-4的失重比例均在15.5%左右，覆碳量相差较小，证明在同等条件下覆碳效果较好。在600～900℃的升温区间内，4种Si/C复合材料质量均有了明显的增加，此段增重过程是由于单质硅与空气中的氧气生成二氧化硅所致。从后续增重区间还发现，S-3与S-4的增重比例略高于S-1与S-2，说明S-3与S-4的硅含量要高于S-3与S-4，表明金属镁含量较高时镁热还原可以得到更加纯净的单质硅。4种Si/C复合材料的电化学数据同时也说明，硅含量较高时可以拥有更高的初始比容量，稳定性能也有所提升。