《表4 所制备高纯晶硅的杂质含量》

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《采用镁热还原–复合酸浸法从微硅粉制备晶体硅》

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酸蚀第1阶段是以盐酸浸除Mg O、Mg2Si及其它可溶性化合物；第2阶段是除硅酸盐及残余Si O2。盐酸酸浸的样品经XRD分析表明，Mg O、Mg2Si均已被溶解，但仍残存Mg2Si O4和Si O2 （图6a）。为进一步纯化晶体硅，将样品分散于HF+Hac（醋酸）的混合溶液中，Hac起润湿作用[35]。经XRD分析发现Mg2Si O4被完全溶解浸除，部分转变为Mg F2 （图6b，HF+HNO3对最终样品硅腐蚀后残渣的XRD谱）。表4为采用等离子发射光谱仪测试的经两步酸蚀纯化后硅中的杂质含量。从表4可见，Mg由原来的0.898 8%降至0.078 5%，去除率达91.28%，其他杂质含量（Fe、Al、P、Zn）都降至0.010 0%左右，显著低于冶金级硅的杂质水平，最终的硅纯度达99.88%，接近于3 N纯度。