《表1 在1μm波段，基于MoS2可饱和吸收体的被动调Q研究现状对比》

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《基于MoS_2可饱和吸收的Nd:ScYSiO_5晶体调Q激光特性研究》

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表1总结了近几年来，以MoS2作为可饱和吸收体在1μm波段实现的掺Nd3+晶体全固态调Q激光输出结果．本实验结果较其他工作相比，在最大输出功率、单脉冲能量和脉冲宽度等方面有着较大的优势．考虑到实验中的Nd:ScYSiO5晶体端面未镀膜以及YAG片的插入损耗，激光输出功率以及斜效率会有进一步的提升空间．另外，采用CVD严格控制制备MoS2的层数，分析不同层数的可饱和吸收特性差异及其对调Q激光器件的影响是下一步将要深入研究的问题．