《表1 电源输出功率参数》

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《表面SiO_2改性高选择性MOS氢气传感器》

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CVD处理装置为自行设计并搭建，所用硅源:十甲基环五硅氧烷（D5），98%AR，阿拉丁。反应腔规格:40×150 mm石英玻璃空腔。装置示意图如图2所示，在处理之前先通入干燥空气将腔体内的气体排出，气体流速设置为50 m L/min，通入空气时间为10min。同时用TPR300xz5C型电源对Sn O2气体传感器基片进行加热，通过设置电源参数控制处理温度为500℃和600℃，具体电源功率参数如表1所示。待杂质空气被完全排出后，关闭通入干燥空气的通道，打开含有D5气体的通道，控制处理时间分别为1 h、2 h、4 h、8 h、12 h，处理完毕后关闭通道。