《表2 沉积单道工艺参数》

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《TC4-TA1等离子弧增材制造单道模型及成形研究》

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增材电流确定之后，为探究两种材料在不同熔积比情况下的单道截面模型及熔宽W、熔高H，分别设计18组熔积比n=WFS/TS∈（0，16）这个区间进行沉积单道实验，工艺参数见表2。