《表1 外源硅和嫁接砧木对黄瓜光合特性的影响》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《外源硅和嫁接砧木对黄瓜幼苗生长及硅吸收分配的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

注:O、Y、H分别为自根黄瓜、‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜、‘黄诚根2号’嫁接黄瓜；不同字母表示5%水平上差异显著，下同。

由表1可知，与不加硅相比，低浓度外源硅（0.085和0.17 mmol/L）显著提高了黄瓜光合速率和蒸腾速率；高浓度外源硅（1.7 mmol/L）则起到抑制作用；自根和嫁接黄瓜均表现出相同的变化规律。相同硅浓度，与自根黄瓜相比，‘云南黑籽南瓜’嫁接黄瓜和‘黄诚根2号’嫁接黄瓜的光合速率和蒸腾速率显著提高，两种砧木间无显著性差异。