《表2 基于不同TCO材料的硅波导移相器在产生2π相移时的性能参数》

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《基于高迁移率透明导电氧化物的高速、低插入损耗硅基光波导移相器研究》

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4种TCO移相器在上述两种计算模型下的性能参数如表2所示，包括产生2\"移相时，器件对应的栅电压、器件长度和调制效率VπL。其中，VπL为实现π相移时器件工作电压和长度的乘积，数值越小表示器件性能越优。由表2可知，材料迁移率对器件插入损耗有显著影响。如基于迁移率为35cm2·V-1·s-1的ZnO材料的光波导移相器插入损耗为CdO的6～7倍，器件长度也是其2倍。ITO移相器长度较基于SnO移相器长度偏大，而ITO的插入损耗却略低于SnO的原因是ITO的吸收系数低于SnO。VπL基本在0.02左右波动，差异不大。综上可知，基于CdO移相器的性能最优。