《表1 共晶层各点EDX分析 (原子数分数) (%)》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《保温时间对GaAs功率芯片钎缝组织及性能的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

图2所示为GaAs芯片与Cu/Mo/Cu垫块钎焊界面层的SEM图像，由图2可见，整个钎缝界面从上至下可分为以下几个区域:芯片镀金过渡层（约4.67μm）、钎缝（16.35μm）、金属间化合物（IMC）过渡层（1.37μm）、垫块镀Ni和Au层（6.31μm）。通过EDX能谱分析测定各区域的主要成分，见表1。