《表3 不同浸渍方式制备催化剂表面Mo的硫化度》

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《Ce浸渍方式对CoMo/CeAl_2O_3催化剂反应性能影响》

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图4是催化剂Mo 3d XPS分峰拟合谱图，表3是根据图4分析出的XPS能谱表。Mo 3d分峰后谱图主要存在7个峰，电子结合能在226.51V的峰归属于S 2s峰；电子结合能在229.10eV（Mo 3d5/2）和232.10eV（Mo 3d3/2）的双峰归属于Mo（Ⅳ），属于完全硫化的MoS2和CoMoS相；电子结合能在229.91eV（Mo 3d5/2）和233.21eV（Mo 3d3/2）的双峰归属于Mo（Ⅴ），对应未被完全硫化的MoOxSy；电子结合能在232.53eV（Mo 3d5/2）和236.62eV（Mo3d3/2）的双峰指未被硫化的MoO3[30-31]。由于S 2s和Mo4+3d2/5的峰面积有一定重合，在定量分析计算时需去掉与S 2s峰面积重叠部分[32]。由表3可知，相同硫化条件下，Ce不同浸渍方式制备的催化剂硫化度不同，催化剂硫化度大小顺序为:CoMo/CeAl2O3