《表2 外源H2S对桃实生苗根系构型的影响》

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《外源H_2S对桃根系构型及叶片光合特性的影响》

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同一行内数据用不同小写字母标识表示差异显著（P<0.05），下表同此。

外源H2S处理促进了桃实生苗一级侧根的发生，提高了一级侧根的数量、根尖数、分叉数，同时促进了根系的伸长和加粗生长。除0.05NaHS处理外，根系总长度、总体积、总表面积、根系平均直径显著高于对照，以0.2 mm·L-1 NaHS处理效果最明显，但0.3 mmol·L-1 NaHS处理对根系生长的促进作用减弱。另外，NaHS外加H2S清除剂HT可部分消除H2S对桃根系生长的促进作用，单独使用0.1mmol·L-1 HT处理在一定程度上抑制了根系的生长（表2）。