《表1 不同供磷水平下外源硅对番茄根系形态指标的影响》
各处理符号表示的含义详见图1注。同列数据后不同小写字母表示在P<0.05水平差异有统计学意义。
如表1所示:与对照(CK)相比,缺磷不加硅(P0-Si)、低磷不加硅(P1-Si、P2-Si)条件下番茄总根长、根系总表面积和总体积均显著降低(P<0.05),根系平均直径无显著性差异(P>0.05)。外源硅处理使缺磷、低磷条件下总根长、根系总表面积和总体积均有所上升,其中,轻度低磷(P2)条件下加入外源硅后番茄总根长、根系总表面积和总体积分别显著增加56.92%、60.00%、61.52%。
图表编号 | XD00180149000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.04.25 |
作者 | 梁颖、石玉、赵鑫、白龙强、侯雷平、张毅 |
绘制单位 | 山西农业大学园艺学院、山西省设施蔬菜提质增效协同创新中心、山西农业大学园艺学院、山西省设施蔬菜提质增效协同创新中心、山西农业大学园艺学院、山西省设施蔬菜提质增效协同创新中心、山西农业大学园艺学院、山西省设施蔬菜提质增效协同创新中心、山西农业大学园艺学院、山西省设施蔬菜提质增效协同创新中心、山西农业大学园艺学院、山西省设施蔬菜提质增效协同创新中心 |
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