《表1 两种近似模型计算结果比较》

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《Ga沉积量对形成AlGaAs表面纳米结构的影响》

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通过盘状结构几何近似体积V=V1-V2和无维度平均体积V*=θ/N两种模型的计算，在沉积量为3 ML时，V*为0.635×10-16cm3，V为0.807×10-16cm3，两种近似模型的计算值接近，当沉积量为5 ML时，V*>V，说明液滴的体积在减小，证明了液滴之间相互扩散形成了连续的平坦层，随着沉积量的继续增加，新到来的Ga吸附原子在平坦层上面形成新的Ga液滴，即沉积量为3～5 ML时，纳米结构（纳米孔、量子环、盘状结构）的密度在减小。当沉积量为7～10 ML时，V*依然大于V，即在平坦层上面新到来的Ga原子形成的Ga液滴的体积V要小于无维度的平均体积V*=θ/N，这进一步解释了纳米结构（纳米孔、量子环、盘状结构）的密度随沉积量的增加呈现增加后减小再增加的趋势。