《表6 不同升温速率下HAP陶瓷晶粒大小、抗弯强度及相对密度》

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《微波烧结工艺制备纳米羟基磷灰石陶瓷》

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图5为以溶胶凝胶法制备的HAP粉末为原料的陶瓷片，微波烧结条件为1 100℃恒温30 min，不同升温速率下HAP陶瓷截面SEM照片。表6为HAP陶瓷材料在升温速率10℃/min和20℃/min下的晶粒大小、抗弯强度和相对密度的变化情况。从图5可看出，升温速率20℃/min时HAP陶瓷晶粒有明显的减小。由表6可以看出，当升温速率加快时，晶粒大小从300 nm左右减小到180 nm左右，相对密度和抗弯强度均大幅度下降。原因可能是在烧结温度相同时，快速的升温速率将会导致晶粒生长时间不足，从而导致大量气孔的遗留，力学性能下降。