《表1 不同纤芯距下的调制器性能参数》
纤芯距影响两纤芯之间的功率转换效率,进而影响调制器输出端输出功率[25]。当r1=2.5μm,r2=2.8μm,N=2时,运用等差取值改变纤芯距,分别取D=9,12,15μm进行仿真验证。图4是不同纤芯距下调制器损耗与化学势的关系及两个调制点耦合输出功率与传输距离的关系。从图4(a)可以看出:当μ在0~0.35eV变化时,纤芯距越大,则损耗越大;μ在0.35~0.5eV变化时,不同纤芯距的损耗取值相近。结合表1数据可知,D=9,12,15μm,μ=0.4eV时,损耗Loss0分别为12.09,11.74,9.77dB/mm,μ=0.5eV时损耗Loss1分别为0.46,0.47,0.51dB/mm,说明在不同纤芯距下,两个调制点损耗取值相近。由图4(b)可以看出:当D=12μm时,取μ=0.5eV的耦合长度为调制器的长度L;当μ=0.4eV,P0=0.000491,这就可以使调制器具有高消光比。而当D=15μm时,L=6.05mm,虽然可以获得由损耗造成的高消光比调制器,但由于长距离传输“1”信号的信号强度严重衰减,因此两个调制点纤芯距主要影响两芯的耦合效率,而对损耗的影响不明显。
图表编号 | XD0062553000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.05.10 |
作者 | 金丽丹、宁提纲、裴丽、郑晶晶、李晶、贺雪晴 |
绘制单位 | 北京交通大学全光网络与现代通信网教育部重点实验室、北京交通大学全光网络与现代通信网教育部重点实验室、北京交通大学全光网络与现代通信网教育部重点实验室、北京交通大学全光网络与现代通信网教育部重点实验室、北京交通大学全光网络与现代通信网教育部重点实验室、北京交通大学全光网络与现代通信网教育部重点实验室 |
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