《表1 疏水性气相SiO2/EP复合材料Weibull击穿强度（E0）和形状参数（β）》

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《疏水性气相SiO_2改性环氧树脂的耐电晕性能》

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图5为室温下疏水性气相SiO2/EP复合材料工频介电强度威伯尔分布。随着疏水性气相SiO2掺杂量的增加，疏水性气相SiO2/EP复合材料的击穿场强先升高后下降，并在疏水性气相SiO2掺杂量为2wt%时达到极大值24.66kV/mm，比纯EP材料的击穿场强提高了21.35%。这可能是由于添加少量均匀分散的纳米SiO2粒子后，在EP内部形成了均匀分布的陷阱结构，减少了空间电荷的聚集，使复合材料中的电场分布更加均匀，有利于减少因电场不均匀而产生的电树枝，使击穿场强提高。当纳米SiO2粒子含量进一步增多，材料内部陷阱结构急剧增加，陷阱间的距离缩短，电树枝的引发变得容易，导致宏观击穿场强下降。