《表1 试验参数:不同离焦量对TC4钛合金半导体激光气体渗氮的影响》

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《不同离焦量对TC4钛合金半导体激光气体渗氮的影响》


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本研究采用单变量法,即其他工艺参数不变,研究离焦量对渗氮层的影响。试验参数如表1所示。