《表3 盐胁迫下外源Si和Spd对番茄幼苗叶绿素荧光参数的影响》

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《盐胁迫下外源Si和Spd对番茄幼苗生长及光合荧光特性的影响》

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由表3可知，与对照相比，NaCl胁迫下番茄Fv/Fm、NPQ、Hd均显著升高，ФPSⅡ、ETR显著下降。与单独NaCl处理相比，外源Si和Spd处理下Fv/Fm无显著变化，ФPSⅡ、ETR、qP均增加，其中外源Si处理下ФPSⅡ、ETR、q P分别增加20.71%、20.60%、25.46%；Spd处理下分别增加17.05%、17.35%、18.25%；Si+Spd处理下Fv/Fm显著降低，ФPSⅡ、ETR、qP分别降低18.42%、18.34%、13.23%。外源Si和Spd处理均降低番茄NPQ，但对LPFD、Hd无显著影响。