《表1 BFP740寄生耦合参数值》
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《基于双重增益控制技术的超宽带可变增益放大器的设计与实现》
考虑市场上存在,并且器件模型能支持ADS软件仿真的晶体管,查看BFP740的Datasheet,确定晶体管选用英飞凌公司的BFP740 SiGe HBT.图6是本文选取的英飞凌公司的BFP740 SiGe HBT等效模型[13],模型包含了芯片的寄生发射结电容和电阻,集电结电容和电阻,封装产生的基极寄生电感LBB和LBC,发射极寄生电感LEC和LEB,集电极寄生电感和电阻LCC、LCB、RCS,以及各极之间产生的耦合电容,表1给出了BFP740 SiGe HBT等效模型中寄生和耦合参数定量值.此模型频率适用范围在6.0GHz以内,所以后续的仿真在3.0~6.0 GHz频段范围完成.封装版图严格按照BFP740的Datasheet给出的封装尺寸来绘制[14].
图表编号 | XD0051747800 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.07.10 |
作者 | 谢红云、刘芮、陈泉秀、吴佳辉、陈亮、马佩、高杰、张万荣 |
绘制单位 | 北京工业大学信息学部微电子学院、北京工业大学信息学部微电子学院、北京工业大学信息学部微电子学院、北京工业大学信息学部微电子学院、泰山学院物理与电子工程学院、北京工业大学信息学部微电子学院、北京工业大学信息学部微电子学院、北京工业大学信息学部微电子学院 |
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