《表2 栅极绝缘层厚度SEM测试结果》

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《网状斑点不良分析研究》

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EmbossMura是在完成有源半导体层刻蚀和光刻胶灰化后产生的，因有源半导体层刻蚀和光刻胶灰化会对栅极绝缘层产生影响，故需要验证Emboss Mura和栅极绝缘层的关联性。本实验用椭偏仪和SEM测量栅极绝缘层的折射率和厚度，样品为完成有源半导体层刻蚀和光刻胶灰化的阵列基板。由表1和表2的数据可以看出，Emboss Mura区和正常区域的栅极绝缘层的折射率和厚度基本一致。所以，Emboss Mura与栅极绝缘层无关。