《表1 基于半导体缺陷位的光催化固氮活性》

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《基于表面氧空位的光催化固氮材料》

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基于半导体缺陷位的光催化固氮活性研究成果如表1所示，氧空位作为一种新型光催化固氮活性位点显著提高材料固氮活性，但一般材料氧空位浓度受限于其易猝灭和过高浓度氧空位引起晶体结构坍塌的特性，目前氧空位固氮材料活性仍然远低于Harbor-Bosch法合成氨效率而不具有工业价值。其次由于光催化固氮材料对太阳能利用有限，光催化固氮全光谱理论量子效率（QE）或者光到氨（solar-to-ammonia，STA）的转换效率仍然非常低，通常低于0.1%[18]。因而基于氧空位的光催化固氮效率仍有待提高。