《表1 MFI沸石纳米片膜单组分气体渗透性能》

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《以开孔的二维MFI纳米片为构筑单元制备沸石片膜》

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平行制备了3个沸石纳米片膜，并分别进行丁烷异构体单组份渗透性能测试，结果见表1。制备的沸石纳米片膜显示了一定的丁烷异构体选择性，正丁烷对异丁烷的理想选择性为4.1~5.8之间，正丁烷渗透速率在2.2×10-7~4.1×10-7 mol·m-2·s-1·Pa-1之间，这与先前报道的在高分子载体上制备的MFI沸石纳米片膜具有相近的异构体分离性能[21]。虽然仍大幅低于Agrawal等[25]通过二次生长并焙烧后制备的MFI沸石膜的丁烷异构体选择性（正/异丁烷选择性为47~62），但该结果表明采用先除OSDA再剥离的方法得到的MFI沸石纳米片作为构筑单元，可以构筑具有异构体选择性的MFI沸石纳米片膜。在实验中，我们发现采用未纯化的MFI沸石纳米片制备的膜无异构体选择性，这可能是未剥离的MFI沸石颗粒破坏了纳米片膜的完整性，使得膜失去选择性。通过采用进一步纯化的MFI沸石纳米片和加强沸石纳米片间的作用力，有望得到具有更高选择性的MFI沸石纳米片膜。