《表4 时间步长的设置对Si C材料热导率 (1 000 K) 模拟结果的影响》

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《非平衡分子动力学法模拟计算SiC材料的热导率》

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注:模拟体系尺寸为1.743 6 nm×1.743 6 nm×130.770 0 nm=397.559 2 nm3。

2种方法模拟过程的时间步长均设置为0.55 fs，均小于材料的晶格振动周期。表4为时间步长的设置对Si C材料热导率模拟结果的影响。从表中数据可以看出，时间步长的取值在一定范围内变化，对热导率的模拟结果没有造成很大影响。