《表1 垂直热流方向横截面积对Si C材料热导率 (1 000 K) 模拟结果的影响》

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《非平衡分子动力学法模拟计算SiC材料的热导率》

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垂直热流方向横截面积对热导率（1 000 K）模拟结果的影响结果见表1，其中各模拟体系z轴方向的晶胞个数均为300。从表中数据可以看出，垂直z轴方向横截面积的变化对热导率的模拟结果影响不大，其原因是模拟体系选择的周期性边界条件设置，使得声子可以在垂直于热流方向的截面上自由运动而不发生边界散射。