《表1 两种结构的关键参数》

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《一种基于扩展栅的改进的双通道OPTVLD p-LDMOS》

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本文利用Medici软件[11]对新结构的特性进行了仿真与优化。实际制作多晶扩展栅时，可能出现临界击穿电场降低、载流子寿命缩短、迁移率降低等问题，但实验证明这些缺点均可以通过退火来克服[12]。仿真中所用的模型包括CONMOB、SRH、AUGER、FLDMOB和IMPACT.I。器件的击穿电压是以反向泄漏电流密度达到0.1mA/cm2时所施加的外加电压来判定的。在328V新结构和传统结构中，P1～P6区的位置均相同，分别为0～20μm、20～28μm、28～35μm、35～40μm、40～45μm、45～47μm。两种结构的N-well区具有相同的厚度和浓度，分别为1.3μm和3.5×1012cm-2。其他对应的仿真参数列于表1。