《表4 四比特喇叭状衰减器与T型衰减器部分仿真参数对比》

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《一种基于高阻硅衬底的高精度RF MEMS衰减器设计》

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RF MEMS衰减器为四比特位衰减器，由三个20dB的衰减单元和一个10dB的衰减单元组成，衰减范围为0～70dB，步进为10dB.每个衰减单元包括四个开关、一个衰减器网络和两个功分器.利用本文设计的RF MEMS直板状悬臂梁开关、喇叭型功分器以及π型衰减电阻结构，组成衰减器的仿真模型，当每个单元的直通回路导通时，衰减器处于直通状态.在DC～20GHz的频宽内，采用HFSS软件对衰减器直通时的微波性能进行模拟仿真，结果如图7所示，10GHz和18GHz的性能参数见表4.