《表6 取向磁屏蔽表面磁通密度》
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为了进一步验证仿真结果的正确性,使用高斯计对磁屏蔽上下表面法向磁通进行测量。以激磁电流为25 A为例,法向磁通测量和计算结果见图8。由图8可以看到:无取向磁屏蔽上、下表面法向磁通密度和取向磁屏蔽上下表面法向磁通密度没有较大的差异。
图表编号 | XD0032632900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.16 |
作者 | 赵志刚、魏鹏、李雪、刘慧敏、戎静怡、李兴 |
绘制单位 | 河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室、河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室、河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室、河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室、河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室、河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室 |
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