《表4 35WW300无取向磁屏蔽构件杂散损耗Tab.4 Stray-field loss of non grain-oriented magnetic shielding structure》

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《无取向立式磁屏蔽的性能分析和实验研究》

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图8为法向磁通和磁通密度云图。对图8（a）、图8（b）中的两种磁屏蔽和导磁钢板的内部磁通密度分析可知，磁屏蔽和导磁钢板在z方向上的法向磁通分量均随着激励电流的增加而增大，同时在磁屏蔽构件中，绝大部分的磁通都分布在磁屏蔽内部，在导磁钢板中分布的漏磁通较小，这也与图8（b）显示的导磁钢板中磁通量有较为明显的变化，而表4和表5中的损耗值相差不大相印证。对电流25A（50Hz，rms）下磁屏蔽磁通密度云图（如图8 （c）和图8（d）所示） 进行对比分析可知，无取向磁屏蔽在0~200mm范围内的法向磁通和取向磁屏蔽的法向磁通基本相同，即两种磁屏蔽所处的磁场基本相同，这从侧面说明导致两种磁屏蔽构件损耗不同的关键因素是磁屏蔽的磁导率。