《表5 B30P105取向磁屏蔽构件杂散损耗Tab.5 Stray-field loss of grain-oriented magnetic shielding structure》
表4和表5分别为35WW300无取向磁屏蔽、B30P105取向磁屏蔽构件的杂散损耗。可知,测量和仿真相结合测量屏蔽构件杂散损耗的方法具有较好的一致性,说明该损耗测量和计算方法的有效性。
图表编号 | XD0014752300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.04.23 |
作者 | 赵志刚、魏鹏、戎静怡、李兴、刘慧敏 |
绘制单位 | 电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室河北工业大学、电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室河北工业大学、电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室河北工业大学、电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室河北工业大学、电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室河北工业大学 |
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