《表2 不同换流器拓扑的额外损耗对比》

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《基于并联LCC分流及反压抑制的柔性直流输电故障清除策略》

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式中:n I、n T、n D分别表示单个子模块中导通的附加IGBT、晶闸管、附加二极管个数；PI、PT、PD分别表示IGBT、晶闸管、二极管的通态损耗，为对损耗进行定量计算，设它们的比值为1:0.8:0.5，更精确的比值应根据工程实际进行修订；dI、d T、dD分别表示附加IGBT和附加二极管在一个周期中的导通状态占空比，由于换流器既可用于整流侧、也可用于逆变侧，因此取平均状态，必然有d I=d T=d D=0.5。对于所选取的3种可清除直流故障的拓扑结构，其子模块单元的PI、PT、PD的计算参数相等，因此仅需对比nI、n T、n D即可得出结论，不同换流器拓扑的额外损耗的定量计算结果如表2所示。由表2可知，本文所提拓扑的额外损耗较具有故障自清除能力的换流器具有一定优势，相比于BRK-MMC方案其增加的损耗不大。