《表3 典型SM的额外损耗计算参数》

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《一种能够清除直流故障的改进MMC子模块及特性研究》

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式中：PTcom为IGBT的导通功率，nT为输出单位电平时需要一直导通的额外IGBT数目，nI为输出单位电平时需要调制信号的额外IGBT数目，平均状态下，其导通时间为一半。表3为正常运行时，几种典型拓扑的损耗计算参数，由于ICSM中单体IGBT替换了原来子模块下管的二极管，当ICSM-MMC运行于整流工况时，IGBT损耗远低于二极管，当运行于逆变状态时，其损耗远大于二极管，考虑到改进拓扑MMC即可运行于整流侧也可运行于逆变侧，平均状态下其损耗略约等于二极管。因此从表3可以看出，损耗方面，ICSM略低于其他几种拓扑。