《表1 扫描离子：气相色谱-质谱法同时测定高纯三氯氢硅中4种甲基氯硅烷的方法研究》

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《气相色谱-质谱法同时测定高纯三氯氢硅中4种甲基氯硅烷的方法研究》

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质谱条件:EI离子源，电离电压70eV，辅助加热温度280℃，离子源温度230℃，质量扫描范围50～550u。采用选择性离子检测。溶剂延迟:三氯氢硅样品，1.3min。扫描离子见表1。