《表1 SiBCN陶瓷和SiC陶瓷氧化动力学常数》

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《液态SiBCN前驱体转化陶瓷的抗氧化性能及机制》

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μm2/h

对陶瓷进行氧化动力学曲线拟合。其中:y为氧化层厚度；t为氧化时间；Kp为氧化动力学常数[13]。拟合结果如图7，两种陶瓷在1 200℃和1 400℃下均能满足抛物线关系，说明其氧化控速环节为氧在氧化层中的扩散，氧化动力学常数见表1。