《表1 不同气体分子吸附构型的参数》
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《基于密度泛函理论的单层MoS_2纳米材料气敏性能研究》
基底与气体分子之间的电子转移与材料对气体灵敏度的高低有密切的关系,电子转移的具体数值如表1所示。显然,在经过掺杂处理后,NH3和CH4分子与基底之间的电子转移明显提升(-0.38e和-0.15e),并且在与基底的相互作用中表现为施主,即向基底传输电子。而SO2分子与基底之间的电子转移则仍然近似于0。结合上文给出的吸附能与吸附长度分析,可以判定NH3分子与Al掺杂基底之间为化学吸附,而CH4和SO2分子与掺杂基底之间则仅为物理吸附。这证实了铝原子掺杂使单层MoS2纳米材料对NH3分子具有极高灵敏度,并且在甲烷和二氧化硫等气体的混合下,对氨气具有良好的选择性。
图表编号 | XD0030643900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.01.15 |
作者 | 臧道俊、李运祥、徐帅、王岩 |
绘制单位 | 江苏大学机械工程学院、苏州大学物理与光电·能源学部、江苏大学机械工程学院、江苏大学机械工程学院 |
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