《表2 不同电压下所得微弧氧化膜的结合强度》

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《电压对TC4合金K_2ZrF_6–Na_2SiO_3–(NaPO_3)_6体系微弧氧化膜性能的影响》

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从表2可知，当电压为420 V时，膜层与基体之间的结合强度最低。随电压升高，膜层的结合强度从13.0 MPa逐步增大到23.7 MPa。反应过程中膜层表面弧光放电的剧烈程度以及厚度的变化均会影响结合强度。氧化电压增大时，膜层厚度增大，同时剧烈的反应过程造成了基体表面熔融物与电解液之间的热交换更频繁，因此膜层与基体的结合更紧密。