《表4 图7与图8中T2试样表面能谱分析结果》

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《T2/TC4在静态人造海水中的电偶腐蚀行为》

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采用EDS区域扫描对图7与图8中T2试样表面进行化学元素分析，结果如表4所示。从表4可知，电偶腐蚀与自腐蚀的T2试样表面含有Cu、O、Cl 3种元素，O元素来源于反应生成的Cu2O，Cl元素则来源于反应生成的CuCl等腐蚀产物。T2试样自腐蚀1d时的O元素原子分数较低，成分接近T2基体，当腐蚀时间为5 d时，T2自腐蚀的O元素含量迅速升高至23.70%，并含有少量的Cl元素，但随着浸泡时间的延长，自腐蚀的T2试样表面O元素含量增加幅度逐渐减缓，Cl元素含量出现小幅波动，表明此阶段内的T2试样腐蚀程度虽在不断增加但腐蚀速率在降低，这是由于随着浸泡时间的延长，T2试样表面覆盖的腐蚀产物也不断增加，减小了基体与溶液反应的有效接触面积，从而减缓了T2的腐蚀速率，降低了铜离子释放速率，但由于自腐蚀的T2试样表面形成的腐蚀产物较为疏松，因此腐蚀反应得以继续进行，但仍会有少量铜离子继续溶出。EDS能谱分析结果表明，与TC4偶合发生电偶腐蚀的T2试样表面O元素与Cl元素的含量始终较低，成分与T2基体接近，表明与TC4偶合的T2试样表面几乎无腐蚀产物存在，基体可以裸露出来保证了与腐蚀溶液反应的有效接触面积，使得T2在与TC4电位差的作用下保持较高的铜离子释放速率。