《表2 不同状态工业纯锆的力学性能》

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《工业纯锆室温蠕变性能及显微组织》

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图5为不同蠕变应力下退火态超细晶工业纯锆的显微组织照片。从图5a、5b中可以看出，随蠕变应力的增加，组织内部位错密度增大，晶界处的位错密度高于组织内部。这是由于在室温蠕变第Ⅰ阶段由于外加应力的作用而产生的瞬时应变，晶粒内部出现大量可动位错，可动位错在恒定应力水平下开始滑移，当位错滑移至晶界处时，受到晶界的阻碍作用发生位错塞积。因此，晶界处的位错密度高于晶粒内部的位错密度。再者，由图3c可知，退火处理后的超细晶工业纯锆晶粒尺寸并没有发生明显变化，组织内部晶界数量很大，从而抵抗了蠕变变形，此时室温蠕变进入稳态蠕变阶段。当外加蠕变应力增大时，退火后超细晶工业纯锆室温蠕变初期的可开动的位错数量增多，使稳态蠕变速率和蠕变变形量增大。