《表1 原料粉体及靶材ICP-MS分析结果》

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《非晶半导体薄膜用Te系化合物靶材制备》

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对靶材和原料粉体进行ICP-MS成分分析，结果如表1.在制备合金粉体到压制靶材过程中，As含量逐步降低，其他元素含量则相对有少量的提高，但基本与目标含量相符，表明加工过程存在As元素的挥发损失.方案一靶材的As含量低于方案二，是因为其原料粉体中晶态化合物含量较少，单质As的含量更高，造成其在加工过程中挥发量更多.